电子元器件二次筛选试验项目及标准

文章来源 : 广东优科检测 发表时间:2021-06-25

广东优科检测是获得CNAS和CMA资质认可的第三方检测机构,实验室具备元器件二次筛选资质和测试能力,可提供电连接器、微电子器件、半导体分立器件等元器件二次筛选服务。接下来为大家介绍电子元器件二次筛选试验项目及标准。


电子元器件二次筛选试验项目及标准


电子及电气元件环境试验

1. 温度冲击(温度循环)

检测标准(方法):

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 107;

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 1010.1;

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1051;

电连接器试验方法 1000 类 环境试验 GJB1217A-2009 方法 1003。


2. 老炼

检测标准(方法):

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 108;

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法1038/1039/1040/1042;

有失效率等级的无包封多层片式瓷介固定电容器通用规范 GJB192B-2011 4.5.16;

有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB63B-2001 4.7.20;

有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.21;

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法 1005.1;

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1026。


3. 粒子碰撞噪声检测

检测标准(方法):

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 217;

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 2052;

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 2020.1。


4. 冲击

检测标准(方法):

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 2016;

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 2004;


5. 振动试验

检测标准(方法):

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 2056;

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 2005;

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.11。


6.  盐雾试验

检测标准(方法):

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1041,1046;

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 1001。


7. 耐湿

检测标准(方法):

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1021;

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 1002。


8. 稳态湿热

检测标准(方法):

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 103。


9. 稳定性烘焙

检测标准(方法):

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法 1008.1;

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1031。


10. 低气压

检测标准(方法):

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GJB1217A-2009 方法 1011;

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法 1001;

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 1001。


11. 加速度

检测标准(方法):

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 2011。


12. 密封

检测标准(方法):

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1071。


电子元器件二次筛选试验项目及标准


电子及电气元件性能检测

1. 电阻器

试验项目:电阻值

检测标准(方法):

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 303;

有质量等级的薄膜固定电阻器总规范 GJB 244A-2001 4.8.5;

高稳定薄膜固定电阻器总规范 GJB 1929-1994 4.6.2;

片式膜固定电阻器通用规范 GJB 1432B-2009 4.5.2;

膜固定电阻网络,膜固定电阻和陶瓷电容的阻容网络通用规范 GJB 920A-2002 4.5.5;

有可靠性指标的精密固定电阻器总规范 GJB 1862-1994 4.7.5;

功率型线绕固定电阻器总规范 GJB 2828-97 4.6.2。


2. 电容器

试验项目:电容量

检测标准(方法):

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 305;

1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.3;

2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.3;

高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.3;

有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.3;

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.7;

有可靠性指标的塑料膜(或纸-塑料膜)介质(金属,陶瓷或玻璃外壳密封)固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.10;

有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.8;

含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.10;

含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.6;

有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.4;

非固体电解质钽电容器总规范 GJB 1312A-2001 4.7.6;

有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 4.7.7;

非气密封固体电解质钽电容器总规范 GJB 1520-1992 4.7.5。


试验项目:损耗角正切

检测标准(方法):

电子设备用固定电容器 第一部分总规范 GB/T 2693-2001 4.8.1;

1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.4;

2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.4;

高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.4;

有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.4;

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.8;

有可靠性指标的塑料膜(或纸-塑料膜)介质(金属,陶瓷或玻璃外壳密封)固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.11;

有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.9;

含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.11;

含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.7;

有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.5;

非固体电解质钽电容器总规范 GJB 1312A-2001 4.7.7;

有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 4.7.8;

非气密封固体电解质钽电容器总规范 GJB 1520-1992 4.7.6。


试验项目:漏电流

检测标准(方法):

有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 733B-2011 4.5.3;

非固体电解质钽电容器总规范 GJB 1312A-2001 4.7.5;

有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 4.7.6;

非气密封固体电解质钽电容器总规范 GJB 1520-1992 4.7.4。


试验项目:绝缘电阻

检测标准(方法):

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 302;

1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.7;

2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.6;

高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.8;

有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.5;

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.10;

有可靠性指标的塑料膜(或纸-塑料膜)介质(金属,陶瓷或玻璃外壳密封)固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.9;

有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.5;

含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.9;

含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.5;


试验项目:介质耐电压

检测标准(方法):

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法 301;

1 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011 4.5.5;

2 类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012 4.5.5;

高压多层瓷介固定电容器通用规范 GJB 1940A-2012 4.5.5;

有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范 GJB 2442-95 4.7.6;

高可靠瓷介固定电容器通用规范 GJB 4157A-2011 4.6.9;

有可靠性指标的塑料膜(或纸-塑料膜)介质(金属,陶瓷或玻璃外壳密封)固定电容器总规范 GJB 732-1989 4.7.7;

有和无可靠性指标的塑料膜介质交直流固定电容器通用规范 GJB 972A-2002 4.5.6;

含宇航级金属化塑料膜介质密封固定电容器通用规范 GJB 1214A-2009 4.6.7;

含宇航级云母固定电容器通用规范 GJB 191B-2009 4.7.2。


3. 二极管

试验项目:正向电压

检测标准(方法):

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 4011;

半导体器件分立器件和集成电路 第 2 部分:整流二级管 GB/T 4023-2015 7.1.2;

半导体器件 分立器件 第 3 部分:信号(包括开关)和调整二级管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 节 2,第 2 节 5。


试验项目:反向电流

检测标准(方法):

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 4016;

半导体器件分立器件和集成电路 第 2 部分:整流二级管 GB/T 4023-2015 7.1.4;

半导体器件 分立器件 第 3 部分:信号(包括开关)和调整二级管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 节 1,第 2 节 4。


试验项目:击穿电压

检测标准(方法):

半导体器件分立器件和集成电路 第 2 部分:整流二级管 GB/T 4023-2015 7.1.3。


试验项目:工作电压

检测标准(方法):

半导体器件 分立器件 第 3 部分:信号(包括开关)和调整二级管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 2 节 1。


4. 双极型晶体管

试验项目:集电极-射极击穿电压

检测标准(方法):

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 3011。


试验项目:集电极-基极击穿电压

检测标准(方法):

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 10.2。


试验项目:发射极-基极击穿电压

检测标准(方法):

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 10.2。


试验项目:集电极-基极截止电流

检测标准(方法):

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 2.1。


试验项目:集电极-发射极截止电流

检测标准(方法):

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 3。


试验项目:发射极-基极截止电流

检测标准(方法):

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 2.2。


试验项目:正向电流传输比

检测标准(方法):

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 2 节 7。


试验项目:集电极-发射极饱和电压

检测标准(方法):

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 4。


试验项目:基极-发射极饱和电压

检测标准(方法):

半导体分立器件和集成电路 第 7 部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 节 5。


5. 场效应晶体管

试验项目:漏一源击穿电压

检测标准(方法):

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 3407。


试验项目:栅极漏泄电流

检测标准(方法):

半导体器件 分立器件 第 8 部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 2。


试验项目:漏极电流

检测标准(方法):

半导体器件 分立器件 第 8 部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 3。


试验项目:静态漏-源通态电阻

检测标准(方法):

半导体器件 分立器件 第 8 部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 15。


试验项目:漏极电流

检测标准(方法):

半导体器件 分立器件 第 8 部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 4。


试验项目:正向跨导

检测标准(方法):

半导体器件 分立器件 第 8 部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 10。


6. 电位器

试验项目:总阻值

检测标准(方法):

线绕预调电位器通用规范 GJB 917A-2011 4.5.2.2;

非线绕预调电位器通用规范 GJB 918A-2011 4.5.2.2。


试验项目:终端电阻

检测标准(方法):

非线绕预调电位器通用规范 GJB 918A-2011 4.5.2.3。


7. 电感器

试验项目:电感量

检测标准(方法):

有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002 4.5.3.2。


试验项目:品质因素

检测标准(方法):

有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002 4.5.3.3。


试验项目:直流电阻

检测标准(方法):

射频固定和可变片式电感器通用规范 GJB 1864A-2011 4.5.8.5。


8. 连接器

试验项目:介质耐电压

检测标准(方法):

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 3001。


试验项目:绝缘电阻

检测标准(方法):

电连接器试验方法 2000 类 机械试验方法 GB1217A-2009 方法 3003。


9. 电磁继电器

试验项目:吸合电压

检测标准(方法):

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.3.1;

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。


试验项目:释放电压

检测标准(方法):

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.3.3;

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。


试验项目:吸合时间

检测标准(方法):

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4;

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。


试验项目:吸合断开

检测标准(方法):

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4;

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。


试验项目:吸合回跳

检测标准(方法):

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4;

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。


试验项目:释放时间

检测标准(方法):

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4;

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。


试验项目:释放断开

检测标准(方法):

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.4;

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。


试验项目:释放回跳

检测标准(方法):

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.5.1;

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。


试验项目:绕圈电阻

检测标准(方法):

有可靠性指标的电磁继电器总规范 GJB65B-1999 4.8.8.1;

电磁继电器总规范 GJB1042A-2002 4.6.8.1。


10. 固态继电器

试验项目:输出接通电阻

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。


试验项目:输出电压降

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。


试验项目:开启电流

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.2。


试验项目:瞬态电压

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.17。


试验项目:接通时间

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.13。


试验项目:关断时间

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.14。


试验项目:接通电压

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.6。


试验项目:关断电压

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.7。


试验项目:偏置电流

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.4。


试验项目:控制电流

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.5。


试验项目:输出漏电流

检测标准(方法):

固体继电器总规范 GJB1515B-2017 4.7.7.16。


11. 半导体集成电路运算放大器

试验项目:输入失调电压

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 5。


试验项目:输入失调电流

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 6。


试验项目:输入偏置电流

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 7。


试验项目:共模抑制比

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 12。


试验项目:电源电压抑制比

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 13。


试验项目:输出电压范围

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 14。


试验项目:开环电压放大倍数

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 节 10。


试验项目:电压转换速率(压摆率)

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第 IV 篇 第 2 节 20。


12. 半导体集成电路电压比较器

试验项目:输入失调电压

检测标准(方法):

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.1。


试验项目:输入失调电流

检测标准(方法):

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.3。


试验项目:输入偏置电流

检测标准(方法):

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.5。


试验项目:静态电源电流

检测标准(方法):

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.7。


试验项目:共模抑制比

检测标准(方法):

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.9。


试验项目:电源电压抑制比

检测标准(方法):

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.11。


试验项目:输出电压幅度

检测标准(方法):

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.13。


试验项目:开环电压增益

检测标准(方法):

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.8。


13. 数字集成电路CMOS 电路

试验项目:输出高电平电压

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。


试验项目:输出低电平电压

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇第 2 节 1。


试验项目:电源电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。


试验项目:输入电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。


14. 半导体集成电路 TTL 电路

试验项目:功能测试

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 节 6。


试验项目:输入钳位电压

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 6。


试验项目:输出高电平电压

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。


试验项目:输出低电平电压

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。


试验项目:输入高电平电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。


试验项目:输入低电平电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。


试验项目:输出短路电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 3。


试验项目:输出高阻态电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 7。


试验项目:电源电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。


试验项目:延迟时间

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 节 4.2。


15. 半导体集成电路电压调整器

试验项目:线性调整率

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇 第 3 节 2。


试验项目:负载调整率

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 节 4。


试验项目:纹波抑制比

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 节 3。


试验项目:静态电流

检测标准(方法):

半导体集成电路第 3 部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 节 7。


16. 集成电路模拟/数字转换器

试验项目:数字输入电流

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。


试验项目:输出高电平电压

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。


试验项目:输出低电平电压

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。


试验项目:增益误差

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。


试验项目:零点误差

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。


试验项目:线性误差

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。


试验项目:微分线性误差

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。


17. 集成电路数字/模拟转换器

试验项目:数字端输入电流

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。


试验项目:增益误差

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。


试验项目:零点误差

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。


试验项目:线性误差

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。


试验项目:微分线性误差

检测标准(方法):

集成电路 A/D 和 D/A 转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。


18. DC/DC 变换器

试验项目:输出电压

检测标准(方法):

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.1。


试验项目:输出电流

检测标准(方法):

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.2。


试验项目:输出纹波电压

检测标准(方法):

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.3。


试验项目:电压调整率

检测标准(方法):

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.4。


试验项目:电流调整率

检测标准(方法):

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.5。


试验项目:交叉调整率

检测标准(方法):

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.6。


试验项目:输入电流

检测标准(方法):

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.7。


试验项目:效率

检测标准(方法):

混合集成电路 DC/DC 变换器测试方法 SJ20646-1997 5.9。


19. 半导体集成电路存储器

试验项目:输出高电平电压

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。


试验项目:输出低电平电压

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 1。


试验项目:输出高阻态电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 7。


试验项目:输入高电平电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。


试验项目:输入低电平电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 2。


试验项目:工作状态时电源电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。


试验项目:待机状态时电源电流

检测标准(方法):

半导体器件集成电路第 2 部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 节 4。



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