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晶体管二次筛选(补充筛选)程序

文章来源 : 广东优科检测 发表时间:2022-08-30 浏览数量:

晶体管二次筛选.jpg


电子元器件二次筛选是一种对电子元器件进行全数检验的非破坏性试验,是检验元器件批合格率、质量一致性的重要手段。优科检测认证是具备CNAS和JG资质的专业第三方元器件二筛检测机构,接下来为大家介绍晶体管二次筛选(补充筛选)程序


晶体管二次筛选(补充筛选)程序


筛 选 项 目方 法
GJB128A
筛选条件或测量参数说 明
1编序列号 1)

2电参数测试(室温)
双极型放大晶体管
双极型开关晶体管
场效应晶体管
hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、
V(BR)CBO 、 I CBO
hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 VCES
g m 、 VCS (OFF ) 、 I DSS
测量参数及合格标准按合同、详细规范或产品手册规定
3温度循环1051条件: B;循环 5 次玻封器件转换时间为不大于5min
4恒定加速度2006Y1 方向、 196000m/ s²;
额定功率不小于 10W 的器件
98000m/ s²
无空腔的器件不要求
LTPD=5;不通过时全检
5外观及机械检查2071用 10 倍放大镜或显微镜可在筛选开始时增加一次
6粒子碰撞噪声检测(PIND)2052试验条件: A
LTPD=10;不通过时全检
7高温反偏(HTRB)
开关晶体管 PNP
晶体管
场效应晶体管
1038反偏温度: 125±2℃
反偏电压: 0.75VR
其它晶体管不要求做高温反偏筛选,高温反偏时间为表列时间减去生产方已进行的高温反偏。
96h72h48h
240h160h96h
8老练前电参数测试 (室温)同序号 2
9老练(室温)2)1038试验条件: B老练时间为表列时间减去生产方已进行的老练时间,但不得少于 48h
240h160h96h
10老练后电参数测试 (室温)同序号 2, 对合同或详细规范要求的参数
计算其Δ值
计算不合格品率
Ⅰ级 PDA≤5%(或 1 只取大值);Ⅱ级 PDA≤10%(或 1 只取大值);Ⅲ级PDA≤15%(或 1 只取大值)。
11电参数测试(高温)同序号 2: 温度
按合同或详细规范规定
LTPD=10;不通过时全检
12电参数测试(低温)
双极型放大晶体管
双极型开关晶体管
场效应晶体管
温度按合同或详细规范规定,测量参数:
hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 V(BR)CBO 、 I CEO
hFE 、 I CBO
g m 、 I DSS
LTPD=10;不通过时全检
13密封
a.细检漏
b.粗检漏
1071a.试验条件: G 或 H
b.试验条件: A、 C、或 F
无空腔的器件不要求:
内腔体积小于 1cm³仅要求做粗检漏
14外观及机械检查207l用 10 倍放大镜或显微镜


注: 1)当要求计算器件电参数的△值时应编序列号。

        2)额定功率大于 1W 的器件可按规定加散热器老练,也可不加散热器按峰值结温老练。


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