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半导体分立器件二次筛选标准及方法(GJB 33A-1994解读)

文章来源 : 广东优科检测 发表时间:2025-05-06 浏览数量:

半导体分立器件二次筛选服务简介

半导体分立器件二次筛选(补充筛选)是对已出厂元器件进行的附加质量检测流程,旨在通过环境应力、电性能测试等手段,剔除早期失效器件,确保其在高可靠性场景(如航空航天、军工装备)中的稳定性和寿命。

我司作为CNAS认可的第三方电子元器件二次筛选机构,依据GJB 33A-1997《半导体分立器件总规范》及GJB 128A-1997《半导体分立器件试验方法》,提供覆盖二极管、三极管、场效应管等半导体分立器件二次筛选服务,支持温度循环、密封性检测、电参数测试等20余项关键项目。


半导体分立器件二次筛选


电子元器件二次筛选的目的及原理

目的:

1. 提高可靠性:剔除因生产工艺缺陷、材料问题导致的早期失效器件;

2. 适配应用环境:通过模拟极端温度、振动等条件,验证器件在复杂工况下的性能;

3. 降本增效:减少因器件失效引发的整机故障,降低维修成本。


原理:

基于缺陷加速暴露理论,通过施加高温、低温、振动等环境应力,使潜在缺陷快速显现。例如:

- 温度循环:利用热胀冷缩效应暴露封装裂纹;

- PIND测试(颗粒碰撞噪声检测):识别内部松动颗粒;

- 电参数测试:检测击穿电压、饱和电流等关键指标是否达标。


哪些半导体分立器件需要做二次筛选?

根据GJB 33A-1997标准,以下器件需进行二次筛选:

- 二极管(如整流二极管、稳压二极管)

- 晶体管(双极型晶体管、场效应晶体管)

- 可控硅(SCR、IGBT)

- 功率器件(如MOSFET、IGBT模块)

- 特殊应用器件(如高频晶体管、射频二极管)


半导体分立器件二次筛选标准

核心依据GJB 33A-1997第4.6节“筛选要求”,结合以下标准:

1. GJB 128A-1997:规定试验方法,如温度循环(-55℃~125℃)、恒定加速度(30,000g);

2. GJB 7243-2011:明确军用元器件筛选技术要求;

3. MIL-STD-750D:适用于高可靠性分立器件的国际通用标准。


半导体分立器件二次筛选实验室


半导体分立器件二次筛选方法

1. 环境应力筛选

- 温度循环:-65℃~150℃快速温变,暴露封装缺陷;

- 振动/冲击:模拟运输、飞行中的机械应力,检测结构稳定性;

- 恒定加速度:验证器件在离心力下的抗形变能力。


2. 电性能测试

- 击穿电压(V(br)ceo、V(br)cbo):评估耐压能力;

- 饱和电流(Iceo、Icbo):检测漏电流是否超标;

- Hfe(电流放大系数):验证晶体管放大性能。


3. 密封性检测

- 细检漏/粗检漏:氦质谱法检测封装气密性;

- X射线检查:透视内部结构,发现焊接空洞或异物。


4. 老练试验

高温反偏(125℃、反向电压)加速老化,剔除潜在失效器件。


元器件二次筛选报告办理流程

1. 提交申请:客户填写检测需求表,提供器件型号、数量及技术要求。

2. 方案制定:我司技术团队根据器件类型和标准要求,制定筛选方案。

3. 样品检测:按GJB 33A-1997标准执行筛选测试。

4. 报告出具:检测完成后5个工作日内出具CNAS认证的检测报告(含筛选结论、数据图表)。

5. 结果反馈:提供报告解读及后续改进建议。


电子元器件二次筛选机构


半导体分立器件的二次筛选是保障产品可靠性的关键环节,尤其在军工、航天等高风险领域不可或缺。通过GJB 33A-1997标准的严格筛选,可有效降低器件失效风险,为客户提供“零缺陷”的器件保障。

如需了解更多检测服务或咨询筛选方案,欢迎联系我们的专业团队!


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